SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究

摘要：

纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏度生物、化学传感器等不同领域。本文研究了纳米级固支梁谐振器的制造工艺技术，研究利用电子束光刻和MEMS工艺相结合的纳米制造技术，开发出干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的纳米固支梁结构的制造工艺，形成纳米梁谐振器自上而下的制造工艺技术。

关键词： 纳米梁谐振器 制造工艺 干法刻蚀 电子束光刻

作者: 卓敏 朱健 刘梅 贾世星

作者单位: 南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点试验室，南京，210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 210-211

在线出版日期: 2009-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）