SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究

摘要：

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应用于集成硅压力传感器、汽车牵引控制系统、摄像机稳定补偿系统、医用仪器等广泛领域。SOI材料结构的特殊性使得它在MEMS领域里具有简化工艺的作用：1.整体仍为单晶硅结构，应力小，抗机械疲劳性能好；2.SiO2薄膜功能多种多样，可用于自停止腐蚀层、信号隔离层、释放结构的牺牲层等；3.柔性化设计，量程随硅膜厚度的改变而改变，设计灵活；4.SOI与CMOS、IC工艺相通，易于电路集成。

关键词： 陀螺仪 单晶硅 疲劳性能 惯性器件 压力传感器

作者: 吴璟 刘梅 贾世星 朱健 卓敏

作者单位: 南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 214-215

在线出版日期: 2009-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）