基于维诺图微观颗粒表示的硅材料沿晶界断裂分析
本文主要研究表面硅工艺中的多晶硅材料沿晶界断裂问题。本文基于维诺图微观颗粒表示的方法,从微观的角度实现MEMS用的多晶硅材料的晶体颗粒表达,并赋予晶体颗粒材料属性及晶界分离信息,实现多晶硅材料沿晶断裂现象的仿真。本文首先使用维诺图来表示硅材料随机的微观颗粒拓扑结构。其中维诺图中每一单元及单元边界与多晶硅晶体颗粒及颗粒的边界相对应。由于多晶硅颗粒的形状只与工艺的参数有关,而与颗粒在区域哪个位置无关。
多晶硅材料 沿晶界断裂 晶体颗粒
倪绍辉 赵新 张华南 刘晓光 卢桂章
南开大学机器人与信息自动化研究所,天津,300071 南开大学并行与分布式计算实验室,天津,300071
国内会议
哈尔滨
中文
316-317
2009-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)