基于表面牺牲层工艺微谐振器的金属化与释放
基于表面牺牲层工艺的微谐振器以其高选频特性、低功耗、与IC工艺兼容等优点，在MEMS领域得到广泛应用，如压力/应力测量、温度传感器，射频滤波器、混频器。是一种典型基于双层多晶硅牺牲层工艺的双端固支梁微谐振器。采用Parylene作为金属层保护介质，能够有效地在释放过程中保护金属铝，解决了微谐振器的金属化与释放难题，制备出的微谐振器测试结果与设计值相符，可进行后续压焊、封装及测试。基于Parylene保护的金属化和释放方法还可以推广用于其他化学溶液的释放，有十分广阔的应用前景。
微谐振器 多晶硅 表面牺牲层 制备工艺
黄一峰 阎博 陈兢
北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京，100871
国内会议
哈尔滨
中文
334-335
2009-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）