单畴模型在自旋阀GMR传感器设计中的应用

摘要：

自旋阀型GMR传感器在计算机读出磁头、磁场传感器、特别是在生物探测领域的应用，使GMR传感器的研究得到人们普遍关注。目前与MEMS相关的仿真设计软件如ANSYS、Conventor、Intellisense等都不能对GMR传感器的特性和设计进行仿真计算。本文重点介绍了单畴模型在自旋阀GMR传感器设计中的应用。并对实际的全桥GMR传感器芯片进行测试，与单畴模型的理论计算结果相比较。

关键词： 自旋阀传感器 单畴模型 仿真设计

作者: 李伟 任天令 温志渝 刘理天

作者单位: 重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室，重庆市，邮编 400030 重庆大学微系统研究中心，重庆市，邮编 400030 清华大学微电子学研究所，北京市，邮编 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 340-341

在线出版日期: 2009-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）