基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性
自从1974年多晶硅的压阻现象被发现以来，对其压阻特性的研究一直都是该材料物理特性探究的重要组成部分。前期研究表明，厚度介于80nm～90nm的重掺硼多晶硅纳米薄膜具有较高的压阻灵敏度(应变系数≥34)以及良好的温度稳定性。凭借其优良的压阻特性、较低的温度敏感性以及低廉的制造成本，多晶硅纳米薄膜材料在微/纳米压阻传感器领域具有良好的发展潜力。对于惠斯通电桥结构的压阻传感器，桥臂电阻的匹配性直接影响传感器的性能及成品率。由于工艺误差造成的电阻不匹配，可通过后期调阻技术来加以修正。传统的激光调阻技术，存在局部热应力、芯片封装引起阻值不稳定的问题；而齐纳击穿二极管调阻技术，则占用大量芯片面积，降低了器件集成度，增加了制造成本。Amemiya发现的高掺杂多晶硅的阻值电学修正现象，克服了传统调阻技术存在的问题。
纳米薄膜 多晶硅 压阻特性 桥臂电阻 压阻传感器
施长治 崔虹云 刘晓为 揣荣岩 李智
哈尔滨工业大学，MEMS中心，哈尔滨，150001 哈尔滨工业大学，微系统与微结构制造教育部重点实验室，哈尔滨，150001 哈尔滨工业大学，MEMS中心，哈尔滨，150001 佳木斯大学，理学院，佳木斯，154007 沈阳工业大学，信息科学与工程学院，沈阳，110023 哈尔滨工业大学，MEMS中心，哈尔滨，150001
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366-367
2009-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）