会议专题

正电子湮没符合多普勒技术与材料微观缺陷结构表征

目前,CDB(正电子湮没符合多普勒测量技术)技术发展己经非常成熟,本文主要讨论近些年发展的各种正电子谱学新方法的特点,简单列举一些在材料微观缺陷表征工作中的典型应用结果。

正电子湮没 多普勒测量 材料微观缺陷

王宝义

中国科学院高能物理研究所,北京,100049

国内会议

第十届中国核靶技术学术交流会

兰州

中文

21

2009-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)