原位电子束沉积在复合纳米材料制备中的应用

摘要：

利用电子束诱导沉积方法在单根ZnSe纳米线表面原位沉积了厚度可控的碳氢化合物，得到同轴异质复合纳米线。原位电性能测量得到ZnSe纳米线的阈值电压为1.6伏，而异质复合纳米线的阈值电压为1伏，因此沉积碳氢化合物明显降低了半导体纳米线与金属电极界面间的Schottky势垒，因此在ZnSe纳米线表面原位沉积碳氢化合物壳层可以有效调解半导体纳米线的电学性能。

关键词： 原位电子束沉积 复合纳米材料 ZnSe纳米线 原位电性能

作者: 万强 王岩国

作者单位: 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙市 岳麓山,410082 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙市 岳麓山,410082 中国科学院物理研究所,北京中关村南三路八号,100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年度北京市电子显微学研讨会暨第七届全国实验室管理协作服务交流会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 12-15

在线出版日期: 2009-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）