阶段离子束辅助制备基频减反膜的研究

摘要：

为了得到高损伤阈值基频减反膜的制备方法，研究了阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质的影响。首先采用电子枪蒸发及离子束辅助沉积制备了氧化铪及氧化硅单层膜，采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子束辅沉积制备了基频减反膜。对所有样品的弱吸收、残余应力、激光损伤阈值进行了测量。结果发现相对最子枪热蒸发制备的样品.离子束辅助沉积的单层膜具有大的弱吸收、减小的张应力或增加的压应力、低的激光损伤阈值：相对电子枪热蒸发沉积制务的样品，阶段离了束辅助沉积制备的减反膜剩余应力变小，弱吸收销微增加，激光损伤阈值从10.91 J/cm增加到18J/cm2。分析表表明，离了束辅助沉积方式在引入提高样品激光损伤阈值的有利因素同时，也引入了不利因素，阶段离子束辅助沉积在引入有利因素的同时，有效减少了不利因素的引入，从而可提高样品的激光损伤阀值。

关键词： 激光损伤阈值 离子束辅助沉积 减反膜 电子枪蒸发 薄膜性质

作者: 张大伟 黄元申 贺洪波 邵建达 范正修

作者单位: 上海理工大学光学与电子工程学院，上海 200093 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜中心，上海 201800 上海理工大学光学与电子工程学院，上海 200093 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜中心，上海 201800

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年中国国际工业博览会科技论坛暨上海市激光学会2007年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 140-145

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）