ZnTe单晶的生长及拉曼光谱研究

摘要：

随着超快激光脉冲的发展，THz技术成为研究物质性质的一种主要手段。很多实验证明，ZnTe单晶在低频THz区域(<5THz)是最佳的产生THz的电光材料。另外，由于ZnTe单晶的禁带宽度为2.26eV并且是直接带隙半导体，因此可以用来制作纯绿色光激发二级管(LEDs)和绿色激光二级管(LDs)。但是由于ZnTe的熔点较高(约为1300℃)、易碎，不容易生长出高质量、高纯度的ZnTe单晶，国内没有一家单位能够提供优质ZnTe单晶，用于THz辐射的ZnTe单晶主要依靠从美国和日本进口，这也无形地限制了国内对THz辐射的研究。

关键词： 激光脉冲 拉曼光谱 单晶生长 直接带隙半导体

作者: 王仍 孙英会 葛进 张雷 张惠尔 方维政 明淑红 戴宇

作者单位: 中科院上海技术物理所红外国家重点实验宝 上海 200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年中国国际工业博览会科技论坛暨上海市激光学会2007年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 402-403

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）