在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征

摘要：

本文介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜钢镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS簿膜。研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理，着重研究在沉积过程中，氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响。经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为：1.3×10-3M NH3·H2O，75℃水浴温度。

关键词： 化学水浴法 硫化镉 铜铟镓硒 太阳电池 薄膜太阳电池

作者: 李巍 方小红

作者单位: 中国电子科技集团公司 第十八研究所 化学与物理电源技术重点实验室,天津 300381

会议类型: 国内会议

会议名称: 第28届全国化学与物理电源学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 378-380

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）