表面腐蚀对半导体真空闪络特性的影响
由于半导体材料的卓越特性，半导体器件逐渐向高电压，大功率方向发展。半导体材料在高电压及脉冲功率等领域的应用中，其沿面闪络现象已成为发展的过程中一个不可回避的重要问题。本文采用光电同步测量的方法，针对真空条件下(约4×10-4Pa)半导体硅在脉冲电压下的沿面闪络现象进行了观测和研究，分析了沿面闪络发展过程的特点。采用了腐蚀的方法对硅的表面状况进行调整，并使用了表面电位法测量了腐蚀与未腐蚀试品表面电位。对比了腐蚀和未腐蚀过的硅的沿面闪络特性，分析了表面状况对沿面闪络的影响及可能的原因。最后尝试分析了真空中半导体沿面闪络的机理。
半导体硅 沿面闪络 真空条件 表面腐蚀 光电同步测量 冲击电压
郑楠 赵文彬 田杰 张冠军
西安交通大学电气工程学院 陕西西安 710049
国内会议
武汉
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949-953
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）