砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景
随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用.以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-V族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展.本文着重叙述了GaAs单晶工艺技术现状,讨论了GaAs熔体生产中传热、传质过程及对晶体残余应力和化学计量比的影响;同时还介绍了化合物半导体材料的完整性、均匀性和表面质量方面的研究进展;阐述了GaN白光发光器件和异质结结构方面的研究现状;论及了晶片加工、热处理、表面和缺陷控制以及同步辐射X射线和光弹法等检测方法与技术.最后,文章还展望了Ⅲ-V族化合物半导体在未来无线通讯和光电子产业中的应用前景.
Ⅲ-V族化合物半导体 晶体生长 砷化镓 检测技术
屠海令 郑安生 张峰翊 邓志杰 王永鸿 钱嘉裕 韩庆彬 陈坚邦
北京有色金属研究总院(北京)
国内会议
厦门
中文
49-55
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）