高功率环行器的研制

摘要：

本文报道了3.1～3.4GHz高功率环行器，其插损<0.3dB，可承受峰值功率3000W，平均功率300W。

关键词： 高功率环行器 峰值功率 插损

作者: 黎万楚 沈维福

作者单位: 成都泰格微电子研究所，四川 成都 610071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国微波磁学会议

会议地点: 威海

会议语种:中文

页码: 176-191

在线出版日期: 2009-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）