薄膜厚度对L10-FePt垂直取向的影响

摘要：

采用MgO(100)单晶基片，有利于FePt有序化过程中形成共格生长，从而可以控制FePt有序结构的晶轴垂直于膜面。因此通常采用Mg0(100)单晶基片，在热基片上外延生长Fe/Pt多层膜或超薄FePt薄膜，但往往需要很高的基片温度(>500℃)。通过后退火获得FePt薄膜的垂直取向报道较少。本文研究了通过后热处理和控制FePt薄膜的厚度，实现FePt薄膜的垂直取向，并讨论了厚度对L10-FePt垂直取向的影响。

关键词： 薄膜厚度 垂直取向 单晶基片 共格生长

作者: 李宝河 冯春 陈晓白 赵佳 耿爱丛 于广华

作者单位: 北京工商大学机械工程学院，北京 100048 北京科技大学材料物理与化学系，北京，100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国第二届电磁材料及器件学术会议

会议地点: 贵州

会议语种:中文

页码: 19-21

在线出版日期: 2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）