磁场退火对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜磁电阻和传感器元件性能的影响

摘要：

NiCo薄膜具有比NiFe更高的AMR值，体材料时可达6％以上，在30nm时其AMR可达3.8％，具有更宽的磁场工作范围，因此其应用前景也非常广阔。本文选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ni0.65Co0.35作为磁敏感层，制备了Ta(5nm)/Ni0.65Co0.35薄膜材料，并且用光刻微加工工艺制作了薄膜磁电阻元件，研究了真空退火和真空磁场退火对Ta(5nm)/Ni0.65Co0.35薄膜磁电阻性能和磁电阻元件的输出特性的影响。

关键词： 磁场退火 薄膜材料 磁电阻 磁敏感层 磁致伸缩系数 软磁合金

作者: 王立锦 王海成 龚占双 滕蛟 于广华

作者单位: 北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国第二届电磁材料及器件学术会议

会议地点: 贵州

会议语种:中文

页码: 28-29

在线出版日期: 2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）