在超薄籽晶层上均匀沉积铜膜技术

摘要：

本研究通过计算机模拟铜膜生长过程，建立了实时电化学沉积铜膜生长模型，优化了应用于铜互连技术的电化学沉积腔体几何结构设计与主要铜制程工艺参数.包括电镀液电导率，电极结构，流体场，工艺时间等。通过一系列研究实验，实现了在350?超薄铜籽晶层上均匀沉积铜膜，其非均匀度小于1%。

关键词： 超大规模集成电路 铜互连 电化学沉积 边缘效应

作者: 王希 何川 马悦

作者单位: 盛美半导体设备(上海)有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年全国电子电镀及表面处理学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 126-129

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）