电沉积法制备CulnS2薄膜
本文采用单步电沉积法和两步电沉积法在Mo基底上制备CuInS2薄膜，用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌，用能量散射仪(EDX)测试了样品中各元素含量。结果表明，电沉积法制备的样品，元素原子比与沉积电位密切相关;单步法制备的薄膜样品，致密平整，晶粒大小1～2μm，CuInS2晶体呈黄铜矿结构，同时含有CuS晶体;两步法制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构，无杂相，但薄膜的致密平整性不如单步法。
铜铟硫薄膜 单步电沉积法 两步电沉积法 沉积电位
李娟 莫晓亮 孙大林 陈国荣
复旦大学材料科学系，上海 200433
国内会议
上海
中文
188-195
2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）