AIN纳米锥的图案化生长及场发射性能研究

摘要：

以钼网作为掩膜，以镀Ni的硅片为基底，通过AlCl3和NH3的反应，在700℃时实现AlN纳米锥的图案化生长。图案化生长使AlN纳米锥的屏蔽效应降低，场发射性质有明显改善。与未图案化的样品相比，图案化AlN纳米锥的开启电压和阈值电压显著降低，场发射电流密度显著提高。这种图案化生长技术有望拓展到其它纳米冷阴极材料体系，优化其场发射性能。

关键词： AIN纳米锥 图案化生长技术 场发射性能

作者: 刘宁 吴强 胡征

作者单位: 南京大学化学化工学院，介观化学教育部重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届华东三省一市真空学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 224-228

在线出版日期: 2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）