反应烧结SiC/Co-Si体系的润湿性及界面反应
采用座滴法研究了反应烧结(RB)SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,与RBSiC/纯Co体系进行对比,研究了Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明元素Si对RBSiC/Co-Si体系的润湿性有显著影响,当Si含量为6.7wt%和60wt%时,体系的最终润湿角都低于RBSiC/纯Co体系。RBSiC/Co-Si体系的润湿过程属于反应性润湿,随着温度升高,润湿角明显减小。微观结构研究和XRD相分析表明,对于RBSiC/Co-3Si体系(Co-3Si表示钎料中的Si含量为3wt%),界面区域发生了化学反应,反应产物为CoSi和碳,同时发生了元素的互扩散,形成了反应中间层;对于RBSiC/Co-60Si体系,界面反应产物只有CoSi2,界面区域没有存留碳。界面反应改变了体系的界面结构,从而改善了体系的润湿性。
碳化硅体系 润湿性 界面反应 反应烧结 微观结构 座滴法
李树杰 王川宝 宋旻键 贺跃辉 付春娟
北京航空航天大学 材料科学与工程学院,北京 100191 中南大学 粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083
国内会议
长沙
中文
499-505
2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）