具有SiC基底负折射率薄膜热辐射特性
在负折射率薄膜热辐射特性研究的基础上，进一步探讨了具有SiC基底的负折射率薄膜复合体的热辐射特性，并利用传输矩阵方法及基尔霍夫定律推导出了该复合体的热辐射特性计算公式。研究过程中对比分析了引入负折射率薄膜前后对复合体热辐射特性的影响。结果显示，负折射率薄膜能够显著地改变传统半导体材料的热辐射特性。通过调整薄膜结构的体系参数，还可以对复合体热辐射的方向特征和光谱特征进行相应的调制。
负折射率薄膜 碳化硅基底 热辐射 相干性 传输矩阵法
崔燚 黄勇 李雯 王浚
北京航空航天大学航空科学与工程学院505信箱，北京 100191
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2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）