SiC晶体生长中流场的优化设计

摘要：

本文在晶体生长模型化研究中，针对生长过程中的传热传质等现象引入了对流传热中的场协同原理，利用这一原理对生长室内的流场温度场进行了优化，并对改良前后分别进行了数值模拟，研究了该原理对晶体生长的影响。

关键词： 碳化硅晶体 晶体生长 PVT法 场协同 流场 优化设计 传热传质

作者: 颜君毅 陈启生 姜燕妮 李炜

作者单位: 中国科学院力学研究所，北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国工程热物理学会传热传质学2009年学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）