纳米硅通道内滑移现象的分子动力学模拟
采用分子动力学方法研究了水在硅通道中的Couette剪切流动,得到了通道内流体速度分布。考察了壁面吸附气体以及带纳米结构的硅表面上的流动情况。模拟表明气体层以及微结构的存在可以改变硅表面的滑移性质,进而可以通过在壁面加工纳米结构以及在通道中充入气体来改变和控制纳米通道内的流体输运。
纳米硅通道 亲水表面 气体层 剪切流动 滑移长度 分子动力学
顾骁坤 陈民
清华大学工程力学系,北京 100084
国内会议
青岛
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2009-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)