几种湍流模型在晶体生长模拟中的应用及比较
利用块结构化网格技术对一典型工业用单晶硅结晶炉进行离散，对炉内硅熔体对流、所有部件内的传导换热和炉腔内的辐射换热进行整体耦合求解。针对大尺寸坩埚内的硅熔体湍流流动，分别应用低雷诺数k-ε模型、标准k-ε模型和k-ε两层湍流模型进行模拟。通过比较分析发现，应用三种湍流模型都能预测高温硅熔体的湍流流动结构，且基本一致，但几种模型中对近固壁湍流的不同处理方法对固液凝固界面形状的模拟结果有较为显著的影响。
晶体生长 湍流模型 熔体对流 块结构化网格 结晶炉
刘鑫 刘立军 王元 柿本浩一
西安交通大学能源与动力工程学院 西安 710049 西安交通大学能源与动力工程学院 西安 710049 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州 310027 九州大学应用力学研究所 福冈 日本
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2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）