工业硅粉的直接氮化过程研究

摘要：

通过对三种牌号（3N、441、Si-1）的工业硅粉在不同温度下氮化实验发现，氮化过程分为动力学反应控制阶段和扩散控制阶段两个阶段，扩散控制阶段持续时间较长，氮化硅在该段时间内生成呈线性。产物SEM分析表明硅粉氮化反应是一个VLS机理的晶体生长过程，由于表面氧化严重，3N硅粉虽然粒径较小但表现为包覆晶体生长，而441硅粉和Si-1硅粉由于硅蒸发速度的不同表现为垂直硅表面的晶体生长和包覆晶体生长。

关键词： 氮化硅 工业硅粉 直接氮化 反应控制 扩散控制 晶体生长

作者: 杨春 程乐鸣 万金雄 朱茜茜 骆仲泱

作者单位: 浙江大学热能工程研究所,能源清洁利用国家重点实验室,杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国工程热物理学会燃烧学2009年学术会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 1-8

在线出版日期: 2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）