MOSFET漏源电压谷底时刻微分检测法

摘要：

本文介绍了在反激式变换器中引入准谐振技术的优点，分析了现有反激式电源管理芯片实现准谐振的去磁检测方法及其缺陷，提出了一种基于MOSFET漏源电压微分的电压谷底检测方法，实现了MOSFET的谷底开通。最后进行了仿真和实验，证明了该方法的可行性。

关键词： 去磁检测 微分检测法 准谐振技术 MOSFET漏源 电压检测 反激式变换器

作者: 王亮 张波 丘东元

作者单位: 华南理工大学电力学院,广州市 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国高校电力电子与电力传动学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2009-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）