OH-和OH与Si(111)面的相互作用机理研究

摘要：

利用高斯98的Hartree-Fock(HF) 研究了OH-和OH与Si(111)面种吸附位(顶位,桥位)的吸附作用机理,考虑了OH-垂直进攻和倾斜进攻的基础上能量曲线表明： OH-和OH顶位倾斜吸附最稳定,而且空间构型符合空间位阻最小和最佳成键方向。用HF和DFT/b3lyp模拟了了OH-和OH在Si(111)面拉离硅原子的反应势能曲线。结果表明:OH-和OH的极化在拉离Si原子都起着很重要的作用,DFT方法计算的结果与实际更吻合。

关键词： 硅 腐蚀 吸附位 反应势能曲线 空间构型 成键方向

作者: 齐齐 孙岳明

作者单位: 江苏省南京市江宁区东南大学化学化工学院,211189

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届国际理论化学、分子模拟和生命科学研讨会暨第三届北京宏剑公司用户大会

会议地点: 烟台

会议语种:中文

页码: 166-170

在线出版日期: 2007-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）