缓冲层对Si基GaN外延层中缺陷的影响

摘要：

在硅基衬底上分别采用单缓冲层（高温AlN）和双缓冲层（高温AlN＋低温GaN）上生长相同厚度的GaN 外延片，利用双晶X射线衍射（DCXRD）与透射电子显微镜（TEM）对外延层观察，结果发现单缓冲层上生长的样品晶体质量较差，内部含有位错、反畴区和亚晶粒等缺陷，而双缓冲层上生长的GaN 只含有较低密度的位错，说明双缓冲层有效地降低了缺陷密度。并对双缓冲层减少缺陷的机理进行了研究。

关键词： 硅基 氮化镓 缓冲层 外延层 缺陷密度 双晶X射线衍射

作者: 郝秋艳 解新建 刘彩池 赵丽伟 张帷

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 34-37

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）