改进缓冲层结构MOCVD无掩模横向外延制备CaN薄膜的研究

摘要：

本文针对改进缓冲层生长条件，在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延（MOCVD）方法对无掩模横向外延（ELO）GaN 薄膜进行了研究。实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案，再沉积低温GaN 缓冲层作为外延层的籽晶层，最终沉积高温GaN，制备出低位错密度的GaN 外延层。实验采用了插入中间温度缓冲层的方法，并与采用常规的低温缓冲层的外延片进行了对比，文章分析了横向外延沉积的原理，并分别利用x 射线衍射，湿法腐蚀以及扫描电子显微镜对外延层进行检测，实验结果证明利用无掩模横向外延技术以及中温缓冲层结构，可以生长出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN薄膜。

关键词： 无掩模横向外延 金属有机物气相外延 蓝宝石衬底 中温缓冲层 化学腐蚀法 氮化镓薄膜

作者: 张帷 郝秋艳 陈贵峰 解新建 景微娜 刘彩池 冯玉春 郭宝平 卫静婷

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室，光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳 518060 河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室，光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳 518060 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室， 光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳 518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 38-42

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）