氧分压对电子束蒸发ITO薄膜光电性能的影响

摘要：

本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温度为160℃，氧分压为5×10-2Pa的条件下，制得可见光范围平均透过率良好，电阻率为6.3×10-4O.cm的ITO 透明导电薄膜。

关键词： 氧分压 透过率 电子束蒸发 光电性能 透明导电薄膜

作者: 李林娜 薛俊明 赵颖 李养贤 耿新华

作者单位: 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 天津市重点实验室:光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学，天津 300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 天津市重点实验室:光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学，天津 300071 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 50-52

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）