Ga-N共掺方法生长p型ZnMgO薄膜及其特性研究
本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬底温度，制得了p型ZnMgO薄膜。Hall实验，X射线衍射(XRD)，场发射扫描电镜(FE-SEM)，透射光谱等测试结果表明，,所生长薄膜的特性依赖于生长参数。当N2O/O2=1:1时，衬底温度在510℃、540℃下，分别实现了p型转变。电阻率为102O·cm数量级，霍耳迁移率约为0.2 cm2·V-1·s-1，载流子浓度大于1×1017cm-3。
共掺薄膜 磁控溅射 衬底温度 生长参数 霍耳迁移率
胡少华 叶志镇 高国华 简中祥 王敬蕊 马全保 卢洋藩 赵炳辉
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027
国内会议
苏州
中文
63-68
2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）