氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

摘要：

描述了GaN材料的主要性质及其制备方法，提出常规方法存在的问题，介绍了HVPE 方法制备厚膜氮化镓准衬底方法，综述了国内外研究进展。

关键词： 氮化镓 金属有机物 化学气相沉积 氢化物气相外延

作者: 陈洪建 张维连 陈贵锋 李养贤

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 100-104

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）