PECVDSiC薄膜激光退火实验研究

摘要：

SiC薄膜具有宽禁带、耐高压、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等优点，不仅适合应用在高频大功率高温电子器件的制备，也可以用SiC代替Si制备MEMS器件将具有广泛的应用前景，它可使MEMS器件应用于高温高压等恶劣的环境条件下。本文实验研究了不同激光退火条件对PECVDSiC薄膜的微结构组份，电学和机械特性的影响，实验中使用AES﹑RBS﹑HFS﹑TEM和XRD技术进行测量分析。

关键词： PECVD法 碳化硅薄膜 激光退火条件 电子器件 MEMS器件 机械特性

作者: 罗睿 郭辉 张海霞 王煜 李素兰 张秀兰 张国炳

作者单位: 北京大学微电子研究院，微米/纳米加工国家重点实验室，北京 100871 中国科学院物理所光物理开放实验室，北京 100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 105-107

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）