脉冲激光沉积法ZnO薄膜N2中的制备和退火特性研究
通过脉冲激光沉积方法在1.3 Pa 氮气氛围，100-500 ℃衬底温度，Si（111）衬底上制备了ZnO 薄膜。在 300℃温度下生长的薄膜在400-800℃温度，氧气中进行了退火处理。用X 射线衍射（XRD）谱，原子力显微镜（AFM），光致发光谱(PL)表征了薄膜的结构和光学特性。XRD 谱显示在生长温度300℃时获得了最好的复晶薄膜，在退火温度700 ℃时获得六方结构的单晶薄膜。AFM 显示在此退火条件下薄膜表面平整，晶粒均匀。PL 谱结果显示在700℃退火时有最好的光学特性。
晶体结构 表面形貌 光学特性 脉冲激光沉积法 退火特性 复晶薄膜
魏显起 满宝元
山东师范大学物理与电子科学学院，济南 250014
国内会议
苏州
中文
108-112
2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）