微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOX薄膜研究

摘要：

利用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长了SiOx 薄膜，研究了亚氧化硅薄膜在经过250℃，400℃，600℃，900℃和1100℃真空退火后的发光性能。利用AFM 表征了材料的表面形貌，材料的表面粗糙度非常小；利用傅立叶变换红外吸收光谱研究了成键模式；利用光致发光谱研究了发光性能。结果表明随着退火温度的增加，紫外发光峰的发光强度先增大后减小；并且该峰有蓝移现象，但是在900℃以上高温退火后，峰位保持稳定。带隙宽度随着退火温度的增加先增加后减小。在低温（250℃，400℃）真空退火后，不稳定的氢键首先断裂；在高温退火下，发生了相分离过程。

关键词： 光致发光 微波等离子体增强 化学气相沉积 亚氧化硅薄膜 表面形貌

作者: 郝小鹏 王宝义 李道武 马创新 魏龙

作者单位: 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京 100049 中国科学院研究生院，北京 100049 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 121-124

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）