晶化温度对钛酸锶钡薄膜电学性能的影响
采用射频磁控溅射，以铝酸镧（LaAlO3）为基片制备钛酸锶钡（BST）薄膜，研究了不同晶化温度对BST薄膜显微结构、介电特性的影响。研究表明：BST 薄膜在800℃晶化温度下已形成钙钛矿结构，且随着晶化温度的升高，BST薄膜趋向于（111）方向择优取向。800℃和900℃晶化温度下，获得致密，晶粒尺寸均匀的BST薄膜，当温度升高时，薄膜中出现较明显的缺陷。800℃和900℃晶化后，在外加电场为600kV·cm-1 时，分别获得22.12﹪和26.67﹪的调谐率。
晶化温度 钛酸锶钡薄膜 电学性能 射频磁控溅射 介电特性
张瑞婷 杨传仁 陈宏伟 张继华 裴亚芳
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054
国内会议
苏州
中文
125-129
2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）