在GaAs衬底上LP-MOCVD外延InAs0.9Sb0.1材料的研究

摘要：

利用LP-MOCVD技术，在（100）GaAs 单晶衬底上生长了InAs0.9Sb0.1 材料。用X 射线单晶衍射、光学显微镜和扫描电镜等方法对材料进行了表征。分析了外延层生长温度和缓冲层对表面形貌的影响，并且研究了生长温度与生长速率的关系，在生长温度范围内探讨其可能的生长机制。实验获得了表面平整光亮的InAs0.9Sb0.1材料。

关键词： 单晶衬底 外延层 生长机制 金属有机物 化学气相沉积

作者: 谢建春 缪国庆 金亿鑫 张铁民 宋航 蒋红 刘乃康 李志明

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室，长春 130033 中国科学院研究生院，北京 100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室，长春 130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 130-133

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）