缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As外延层结晶质量和表面形貌的影响

摘要：

本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As 外延层结晶质量和表面形貌的影响。X 射线衍射(XRD)表征外延层的结晶质量。扫描电子显微镜(SEM) 观察样品的表面形貌。XRD和SEM的结果表明，当缓冲层的厚度为100nm 时，样品的结晶质量和表面形貌最佳。

关键词： 铟镓砷 金属有机物 化学气相沉积 缓冲层 表面形貌 结晶质量

作者: 张铁民 缪国庆 金亿鑫 谢建春 蒋红 李志明 刘乃康 宋航

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室, 长春 130033 中国科学院研究生院，北京 100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室, 长春 130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 134-137

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）