用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

摘要：

用化学气相沉积方法对Si（111）衬底进行碳化处理，继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明1100℃的碳化温度可以有效降低Si与SiC薄层界面处的空洞，得到较平整的SiC薄层，在此条件下生长了高质量的SiC薄膜。在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变Si薄膜，其霍尔迁移率明显高于具有相同掺杂浓度的体Si材料，电学性质得到了有效改善。

关键词： 化学气相沉积法 碳化处理 外延层 薄膜生长 电学性质

作者: 王琦 顾书林 施毅 张荣 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩平 俞慧强 谢自力 修向前 朱顺明

作者单位: 南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 148-151

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）