原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系

摘要：

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发光谱FWHM、方块电阻分别达到最小值。

关键词： 位错密度 掩模生长 外延层 金属有机物 化学气相沉积 电学性质

作者: 李忠辉 董逊 张岚

作者单位: 南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 157-159

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）