采用SiN钝化介质研制的高性能AlGaN/GaNHEMT器件
本文系统研究了AlGaN/GaN HEMT 器件采用SiN 介质钝化前后的电流崩塌效应。通过系统研究和优化SiN 介质薄膜钝化工艺，有效的抑制了器件电流崩塌效应。研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT 器件。栅宽40 微米的器件跨导达到250ms/mm，fT 达到70GHz；栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm（Vg=0.5v)，Vds=30V时，8GHz 工作频率下（在片测试）器件的输出功率为32.5dBm(1.6W)，输出功率密度达到2.14W/mm，功率增益为12.7dB。
电流崩塌 钝化薄膜 钝化介质 氮化硅 氮化镓
刘键 李诚瞻 郑英奎 和致经 刘新宇 吴德馨
中国科学院微电子研究所，北京 100029
国内会议
苏州
中文
160-163
2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）