生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响

摘要：

用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C 合金薄膜。研究表明，较低的Si 缓冲层或Si1-xGex:C 外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex:C 合金薄膜，Si 缓冲层和 Si1-xGex:C 外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex:C 合金薄膜。本文通过材料的结构表征结果分别对缓冲层和外延层的生长温度影响进行了分析研究。

关键词： 化学气相淀积 合金薄膜 生长温度 外延生长

作者: 夏冬梅 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 王荣华 王琦 韩平 梅琴 陈刚 谢自力 修向前 朱顺明

作者单位: 南京大学物理学系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093 南京电子器件研究所重点实验室，南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 164-167

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）