磷掺杂源温度对p型ZnO薄膜制备及性能的影响
(0) 利用带有特殊热蒸发器的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）装置，以二乙基锌（DEZn）为锌源，高纯 O2和P2O5 粉作为氧源和磷源，制备了p型ZnO 薄膜。衬底温度固定在420℃，通过改变磷掺杂源的热蒸发温度控制ZnO 薄膜中的磷含量，从而探讨磷掺杂源蒸发温度对p型ZnO 薄膜制备及性能的影响。结果表明，蒸发温度对薄膜中磷含量有较大的影响，当蒸发温度为450℃时，EDS 能谱显示薄膜中磷含量达1.51 at％，其电学性能最好，多次测量的结果显示样品的载流子浓度、迁移率和电阻率等电学性能稳定。
金属有机物 化学气相沉积 衬底温度 氧化锌薄膜
姜静 朱丽萍 王敬蕊 叶志镇 赵炳辉
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027
国内会议
苏州
中文
172-175
2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）