GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化
(0) 本工作根据现有GaN 金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)生长动力学理论，结合具体的MOCVD 反应腔体的构造，用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD 生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟。结果表明，在950-1350 K的温度范围内反应气体充分热分解，是适合GaN 外延生长的温度区间；温度低于950 K，反应气体未能充分地分解，导致较低的生长速率；而温度高于1350 K 则Ga组分的脱附现象开始变得严重，从而抑制GaN的生长速率。另一方面，较高的V/III 也会抑制GaN的生长速率。生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示，GaN 薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D 层状生长，在1373 K的温度下生长的GaN 薄膜表面最为平整。
蒙特卡洛 计算机模拟 金属有机物 化学气相淀积 生长速率 表面形貌 氮化镓薄膜
符凯 张禹 陈敦军 韩平 谢自力 王荣华 张荣 郑有炓
南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093
国内会议
苏州
中文
176-182
2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）