Si1-yCy薄膜中替位式C组分随生长温度的变化

摘要：

用化学气相淀积方法，以乙烯为碳源、硅烷为硅源，在Si（100）衬底上外延生长出了C组分达1.22％的Si1-yCy合金薄膜，研究表明：随着生长温度的降低，薄膜中替位式C组分增加。X射线衍射测量结果显示随着合金薄膜中替位式C含量的增大，薄膜的晶体质量得到改善；拉曼光谱显示C以替位式处于Si的格点位置，形成Si-C局域振动模，且随着替位式C的增加Si（TO）声子模发生蓝移，表明外延薄膜承受的张应力增大。

关键词： 化学气相淀积 局域振动模 合金薄膜 生长温度

作者: 王荣华 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 韩平 王琦 夏冬梅 吴军 葛瑞萍 梅琴 谢自力 修向前

作者单位: 南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届固体薄膜会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 183-186

在线出版日期: 2006-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）