阱垒生长温差对GaN基蓝色多量子阱LED的影响

摘要：

本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响.

关键词： 阱垒生长温差 GaN基 蓝色多量子阱 LED照明 发光波长 MOCVD

作者: 曲爽 李树强 朱学亮 李毓锋 夏伟 徐现刚

作者单位: 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南市山大南路27号,250100 山东华光光电子有限公司,济南市天辰大街1835号,250101 山东华光光电子有限公司,济南市天辰大街1835号,250101

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 143-145

在线出版日期: 2009-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）