GaN衬底生长GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片

摘要：

采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧秒.对p型GaP的掺杂进行了研究,在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3,迁移率为8.6cm2/V·s的p型GaP单晶膜生长出了以GaP为p型接触层的GaN基LED外延片。

关键词： 半导体照明 LED外延片 GaN衬底生长 GaP薄膜 MOCVD X射线衍射 原子力显微镜

作者: 李述体 周天明 范广涵 章勇 郑树文 苏军 曹健兴 周昕妹

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州 510631

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 146-149

在线出版日期: 2009-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）