AlN缓冲层厚度对SiC上外延GaN薄膜晶体质量的影响

摘要：

利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较弱。

关键词： SiC衬底 GaN薄膜 外延生长 晶体质量 AIN缓冲层厚度 MOCVD 半导体照明

作者: 朱学亮 吴德华 曲爽 李树强 徐现刚

作者单位: 山东华光光电子有限公司,济南,250101 山东华光光电子有限公司,济南,250101 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250101

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 150-151

在线出版日期: 2009-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）