氧化硅介质膜对蓝光芯片性能的影响

摘要：

本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

关键词： GaN基 氧化硅介质膜 PECVD 蓝光LED芯片 表面沉积 光电性能

作者: 沈燕 孙健 郑鹏 吴丽丽 刘存志

作者单位: 山东华光光电子有限公司 济南高新区天辰大街1835号 250101

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 156-158

在线出版日期: 2009-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）