Ga:ZnO LED透明电极的Ⅰ-Ⅴ特性和界面性质的研究

摘要：

利用自制的MVPE设备在GaN基LED上生长了8μm厚Ga:ZnO(GZO)外延薄膜代替ITO作为LED的透明电极. EL 测试表明GZO作电极时LED的发光强度高于ITO作电极的情况。研究了样品的Ⅰ-Ⅴ特性。并通过XPS测试研究7GZO/p-GaN异质结的界面特性。

关键词： LED透明电极 Ⅰ-Ⅴ特性 界面性质 GaN基 外延薄膜

作者: 刘祯 王晓峰 杨华 曾一平

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京市海淀区清华东路甲35号,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 172-175

在线出版日期: 2009-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）